Rof EOM Intensitetsmodulator 20G tynnfilm litiumniobat Elektrooptisk Modulator
Trekk
■ RF-båndbredde opptil 20/40 GHz
■ Lav halvbølgespenning
■ Innsettingstap så lavt som 4,5 dB
■ Liten enhetsstørrelse
Parameter C-bånd
| Kategori | Argument | Sym | Universitetet | Salver | |
| Optisk ytelse (@25°C) | Driftsbølgelengde (*) | λ | nm | X2：C | |
| ~1550 | |||||
| Optisk ekstinksjonsforhold (@DC) (**) | ER | dB | ≥ 20 | ||
| Optisk returtap
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
| Optisk innsettingstap (*) | IL | dB | MAKS: 5,5 Typisk: 4,5 | ||
| Elektriske egenskaper (@25°C)
| 3 dB elektrooptisk båndbredde (fra 2 GHz | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
| MIN: 18 Typisk: 20 | MIN: 36 Typisk: 40 | ||||
| RF-halvbølgespenning (@50 kHz)
| Vπ | V | X3：5 | X3：6 | |
| MAKS: 3,0 Typisk: 2,5 | MAKS: 3,5 Typisk: 3,0 | ||||
| Varmemodulert bias halvbølgekraft | Pπ | mW | ≤ 50 | ||
| RF-returtap (2 GHz til 40 GHz)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| Arbeidsforhold
| Driftstemperatur | TO | °C | -20~70 | |
* tilpassbar** Høyt ekstinksjonsforhold (> 25 dB) kan tilpasses.
Parameter O-bånd
| Kategori | Argument | Sym | Universitetet | Salver | |
| Optisk ytelse (@25°C) | Driftsbølgelengde (*) | λ | nm | X2：O | |
| ~1310 | |||||
| Optisk ekstinksjonsforhold (@DC) (**) | ER | dB | ≥ 20 | ||
| Optisk returtap
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
| Optisk innsettingstap (*) | IL | dB | MAKS: 5,5 Typisk: 4,5 | ||
| Elektriske egenskaper (@25°C)
| 3 dB elektrooptisk båndbredde (fra 2 GHz | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
| MIN: 18 Typisk: 20 | MIN: 36 Typisk: 40 | ||||
| RF-halvbølgespenning (@50 kHz)
| Vπ | V | X3：4 | ||
| MAKS: 2,5 Typisk: 2,0 | |||||
| Varmemodulert bias halvbølgekraft | Pπ | mW | ≤ 50 | ||
| RF-returtap (2 GHz til 40 GHz)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| Arbeidsforhold
| Driftstemperatur | TO | °C | -20~70 | |
* tilpassbar** Høyt ekstinksjonsforhold (> 25 dB) kan tilpasses.
Skadegrense
Hvis enheten overstiger den maksimale skadegrensen, vil det forårsake irreversibel skade på enheten, og denne typen enhetsskade dekkes ikke av vedlikeholdstjenesten.
| Aargument | Sym | Svalgbar | MIN | MAKS | Universitetet |
| RF-inngangseffekt | Synd | - | 18 | dBm | Synd |
| RF-inngangssvingning | Vpp | -2,5 | +2,5 | V | Vpp |
| RMS-inngangsspenning (RF-inngang) | Vrms | - | 1,78 | V | Vrms |
| Optisk inngangseffekt | Fest | - | 20 | dBm | Fest |
| Termojustert biasspenning | Uvarmer | - | 4,5 | V | Uvarmer |
| Varm tuning biasstrøm
| Varmeapparat | - | 50 | mA | Varmeapparat |
| Lagringstemperatur | TS | -40 | 85 | ℃ | TS |
| Relativ fuktighet (ingen kondens) | RH | 5 | 90 | % | RH |
S21 testprøve
FIG1: S21
FIG2: S11
Ordreinformasjon
Tynnfilm litiumniobat 20 GHz/40 GHz intensitetsmodulator
| valgbar | Beskrivelse | valgbar | |
| X1 | 3 dB elektrooptisk båndbredde | 2or4 | |
| X2 | Driftsbølgelengde | O or C | |
| X3 | Maksimal RF-inngangseffekt | C-bånd5 or 6 | O-bånd4 |
Rofea Optoelectronics tilbyr en produktlinje med kommersielle elektrooptiske modulatorer, fasemodulatorer, intensitetsmodulatorer, fotodetektorer, laserlyskilder, DFB-lasere, optiske forsterkere, EDFA, SLD-laser, QPSK-modulasjon, pulslaser, lysdetektor, balansert fotodetektor, laserdriver, fiberoptisk forsterker, optisk effektmåler, bredbåndslaser, avstemmbar laser, optisk detektor, laserdiodedriver og fiberforsterker. Vi tilbyr også mange spesifikke modulatorer for tilpasning, for eksempel 1*4 array-fasemodulatorer, ultralav Vpi og ultrahøy ekstinksjonsforholdsmodulatorer, primært brukt ved universiteter og institutter.
Håper produktene våre vil være nyttige for deg og din forskning.
