Rof Elektro-optisk modulator 780nm LiNbO3 Intensity Modulator 10G

Kort beskrivelse:

LiNbO3-intensitetsmodulatoren er mye brukt i høyhastighets optisk kommunikasjonssystem, lasersensor og ROF-systemer på grunn av god elektrooptisk ytelse. R-AM-serien basert på MZ push-pull struktur og X-cut design, har stabile fysiske og kjemiske egenskaper, som kan brukes både i laboratorieeksperimenter og industrielle systemer.

Send e-post til oss LAST NED

Produktdetaljer

Rofea Optoelectronics tilbyr produkter for optiske og fotoniske elektrooptiske modulatorer

Produktetiketter

Trekk

* Lavt innsettingstap
* Høy båndbredde
* Lav halvbølgespenning
* Tilpasningsalternativ

Elektro-optisk modulator Elektro-optisk modulator LiNbO3 intensitetsmodulator MZM Modulator Mach-Zehnder Modulator LiNbO3 modulator Litiumniobatmodulator

Søknad

⚫ ROF-systemer
⚫ Kvantenøkkeldistribusjon
⚫ Lasersensorsystemer
⚫ Sidebåndsmodulasjon

Rof-AM-serien	Rof-AM-07	Rof-AM-08	Rof-AM-10	Rof-AM-13	Rof-AM-15
Driftsbølgelengde	780nm	850nm	1064nm	1310nm	1550nm
Båndbredde	10 GHz	10 GHz	10/20GHz	2,5 GHz	50GHz	10 GHz	20 GHz	40 GHz
Innsettingstap	＜5dB	＜5dB	＜5dB	＜5dB	＜4dB
Slukkingsforhold @DC	＞20dB	＞20dB	＞20dB	＞20dB	＞20dB
V_Π@RF (1KHz)	＜3V	＜3V	＜4V	<3,5V	＜6V	<5V
V_Π@bias	＜3.5V	＜3.5V	＜5V	<5V	<8V	<7V

Bestillingsinformasjon

Rof

XXG

Type: AM --- Intensitetsmodulator

Bølgelengde:

07---780nm
08---850nm

10---1060nm

13---1310nm

15---1550nm

Båndbredde:

10 GHz

20 GHz

40 GHz

50 GHz

Overvåk PD:

PD---Med PD
00 --- Ingen PD

In-Out Fibertype：PP---PM/PM

Optisk kontakt: FA---FC/APCFP---FC/PC

SP---Tilpasning

R-AM-07-10G

Bølgelengde 710nm 10GHz Intensitetsmodulator

Parameter				Symbol		Min	Typ	Maks	Enhet
Optiske parametere
Driftsbølgelengde				l		760	780	800	nm
Innsettingstap				IL			4.5	5	dB
Optisk returtap				ORL				-45	dB
Bryter slukkingsforhold @DC				ER@DC		20	23		dB
Optisk fiber	Inndatahavn					PM780fiber (125/250 μm)
	utgangsport					PM780fiber (125/250 μm)
Optisk fiber grensesnitt						FC/PC, FC/APC eller tilpasning
Elektriske parametere
Driftsbåndbredde(-3dB)					S₂₁	10	12		GHz
Halvbølgespenning Vpi		RF			@1KHz		2.5	3	V
		Bias			@1KHz		3	4	V
Tap av elektrisk retur					S₁₁		-12	-10	dB
Inngangsimpedans			RF		Z_RF	50			W
			Bias		Z_BIAS	1M			W
Elektrisk grensesnitt						SMA(f)

Begrensningsbetingelser

Parameter	Symbol	Enhet	Min	Typ	Maks
Input optisk kraft	P_{i, maks}	dBm			20
Inngang RF-effekt		dBm			28
forspenning	Vbias	V	-15		15
Driftstemperatur	Topp	℃	-10		60
Lagringstemperatur	Tst	℃	-40		85
Fuktighet	RH	%	5		90

S21 Kurve

&S11 Kurve

S21&s11 kurver

Mekanisk diagram

HAVN	Symbol	Note
I	Optisk inngangsport	PM Fiber (125μm/250μm)
Ute	Optisk utgangsport	PM og SMF alternativ
RF	RF-inngangsport	SMA(f)
Bias	Bias kontrollport	1,2 Bias, 34-N/C

Tidligere: Rof Elektro-optisk modulator 1550nm LiNbO3 Intensity Modulator 50G

Neste: Rof Elektro-optisk modulator 1064nm Eo-modulator LiNbO3 fasemodulator 2G

Rofea Optoelectronics tilbyr en produktlinje med kommersielle elektrooptiske modulatorer, fasemodulatorer, intensitetsmodulatorer, fotodetektorer, laserlyskilder, DFB-lasere, optiske forsterkere, EDFA, SLD-laser, QPSK-modulasjon, pulslaser, lysdetektor, balansert fotodetektor, laserdriver , Fiberoptisk forsterker, Optisk effektmåler, Bredbåndslaser, Avstembar laser, Optisk detektor, Laserdiodedriver, Fiberforsterker. Vi tilbyr også mange spesielle modulatorer for tilpasning, for eksempel 1*4 array-fasemodulatorer, ultra-lav Vpi og modulatorer med ultrahøyt ekstinksjonsforhold, primært brukt på universiteter og institutter.
Håper produktene våre vil være nyttige for deg og din forskning.