Valg av ideell laserkilde: Edge Emission Semiconductor Laser Part Two

Valg av IdealLaserkilde: KantutslippHalvleder laserDel to

4. Applikasjonsstatus for kant-emisjon halvlederlasere
På grunn av sitt brede bølgelengdeområde og høye effekt, har kant-emitterende halvlederlasere blitt brukt med suksess i mange felt som bilindustrien, optisk kommunikasjon oglasermedisinsk behandling. I følge Yole Developpement, et internasjonalt anerkjent markedsundersøkelsesbyrå, vil edge-to-emit lasermarkedet vokse til 7,4 milliarder dollar i 2027, med en sammensatt årlig vekstrate på 13 %. Denne veksten vil fortsatt være drevet av optisk kommunikasjon, som optiske moduler, forsterkere og 3D-sensorapplikasjoner for datakommunikasjon og telekommunikasjon. For forskjellige applikasjonskrav er det utviklet forskjellige EEL-strukturdesignskjemaer i industrien, inkludert: Fabripero (FP) halvlederlasere, distribuerte Bragg Reflector (DBR) halvlederlasere, ekstern kavitetslaser (ECL) halvlederlasere, distribuerte tilbakemeldingshalvlederlasere (DFB laser), kvantekaskade halvlederlasere (QCL) og wide area laser diodes (BALD).

Med den økende etterspørselen etter optisk kommunikasjon, 3D-sensorapplikasjoner og andre felt, øker også etterspørselen etter halvlederlasere. I tillegg spiller kant-emitterende halvlederlasere og vertikal-hulrom overflate-emitterende halvlederlasere også en rolle i å fylle hverandres mangler i nye applikasjoner, som:
(1) Innenfor optisk kommunikasjon brukes 1550 nm InGaAsP/InP Distribuert Feedback ( (DFB laser) EEL og 1300 nm InGaAsP/InGaP Fabry Pero EEL ved overføringsavstander på 2 km til 40 km og overføringshastigheter på opptil 40 Gbps Ved 60 m til 300 m overføringsavstander og lavere overføringshastigheter er imidlertid VCsels basert på 850 nm InGaAs og AlGaAs dominerende.
(2) Vertikale hulroms overflate-emitterende lasere har fordelene med liten størrelse og smal bølgelengde, så de har blitt mye brukt i forbrukerelektronikkmarkedet, og lysstyrke- og effektfordelene til kant-emitterende halvlederlasere baner vei for fjernmålingsapplikasjoner og prosessering med høy effekt.
(3) Både kant-emitterende halvlederlasere og vertikale hulrom overflate-emitterende halvlederlasere kan brukes for kort – og mellomdistanse liDAR for å oppnå spesifikke bruksområder som blindsonedeteksjon og kjørefeltavgang.

5. Fremtidig utvikling
Den kant-emitterende halvlederlaseren har fordelene med høy pålitelighet, miniatyrisering og høy lysstyrketetthet, og har brede bruksmuligheter innen optisk kommunikasjon, liDAR, medisinsk og andre felt. Men selv om produksjonsprosessen av kant-emitterende halvlederlasere har vært relativt moden, for å møte den økende etterspørselen fra industri- og forbrukermarkeder for kant-emitterende halvlederlasere, er det nødvendig å kontinuerlig optimalisere teknologien, prosessen, ytelsen og annet aspekter ved kant-emitterende halvlederlasere, inkludert: reduksjon av defekttettheten inne i waferen; Reduser prosessprosedyrer; Utvikle nye teknologier for å erstatte de tradisjonelle skjæreprosessene for slipeskiver og skiver som er utsatt for defekter; Optimaliser den epitaksiale strukturen for å forbedre effektiviteten til kant-emitterende laser; Reduser produksjonskostnader osv. I tillegg, fordi utgangslyset til den kantutsendende laseren er på sidekanten av halvlederlaserbrikken, er det vanskelig å oppnå brikkeemballasje i liten størrelse, så den relaterte pakkeprosessen må fortsatt være ytterligere brutt gjennom.