Valg av ideell laserkilde: Emission Semiconductor Laser Del to

Valg av idealLaserkilde: KantutslippHalvlederlaserDel to

4. Søknadsstatus for kantutslippssemikonduktorlasere
På grunn av dets brede bølgelengdeområde og høy effekt, har kant-emitterende halvlederlasere blitt brukt med suksess på mange felt som bilindustri, optisk kommunikasjon oglasermedisinsk behandling. I følge Yole Development, et internasjonalt anerkjent markedsundersøkelsesbyrå, vil lasermarkedet for kant-til-EMIT vokse til 7,4 milliarder dollar i 2027, med en sammensatt årlig vekstrate på 13%. Denne veksten vil fortsette å være drevet av optisk kommunikasjon, for eksempel optiske moduler, forsterkere og 3D -sensing applikasjoner for datakommunikasjon og telekommunikasjon. For forskjellige applikasjonskrav er det utviklet forskjellige ålstrukturdesignordningerDFB -laser), Quantum Cascade Semiconductor Lasers (QCL) og laserdioder med bredt område (skallet).

Med den økende etterspørselen etter optisk kommunikasjon, 3D -sensing -applikasjoner og andre felt, øker også etterspørselen etter halvlederlasere. I tillegg spiller også kant-emitterende halvlederlasere og vertikal-hulighet overflate-emitterende halvlederlasere en rolle i å fylle hverandres mangler i nye applikasjoner, for eksempel:
(1) Innen optisk kommunikasjon, 1550 nm Ingaasp/INP distribuert tilbakemelding ((DFB -laser) ål og 1300 NM Ingaasp/Ingap Fabry Pero Eel brukes ofte ved girkasseavstander på 2 km til 40 km og overføringshastigheter opp til 40 GBP. Algener er dominerende.
(2) Overflate-emitterende lasere med vertikalt hulrom har fordelene med liten størrelse og smal bølgelengde, så de har blitt mye brukt i forbrukerelektronikkmarkedet, og lysstyrken og kraftfordelene ved kantutslipp av halvlederlasere baner vei for fjernmåling og høypaktbehandling.
(3) Både kant-emitterende halvlederlasere og vertikale hulrom overflate-emitterende halvlederlasere kan brukes til kort-og middels rekkevidde for å oppnå spesifikke applikasjoner som blind flekkdeteksjon og avgang.

5. Fremtidig utvikling
Kantemitterende halvlederlaser har fordelene med høy pålitelighet, miniatyrisering og høy lysende krafttetthet, og har brede anvendelsesutsikter innen optisk kommunikasjon, lidar, medisinsk og andre felt. Selv om produksjonsprosessen for kant-emitterende halvlederlasere har vært relativt moden, for å imøtekomme den økende etterspørselen fra industrielle og forbrukermarkeder for kant-emitterende halvlederlasere, er det nødvendig å kontinuerlig optimalisere teknologien, prosessen, ytelsen og andre aspekter av nedsetningen i en annen aspekt. Redusere prosessprosedyrer; Utvikle nye teknologier for å erstatte det tradisjonelle slipehjulet og kledningsprosessene som er utsatt for å innføre feil; Optimalisere epitaksialstrukturen for å forbedre effektiviteten til kant-emitterende laser; Reduser produksjonskostnadene osv. I tillegg, fordi utgangslyset til den kant-emitterende laseren er på sidekanten av halvlederlaserbrikken, er det vanskelig å oppnå små størrelse chipemballasje, så den relaterte emballasjeprosessen må fortsatt brytes videre gjennom.